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万国半导体申请具有中介层的半导体封装专利，提高半导体封装的性能

2025-3-20 09:53| 发布者: fuwanbiao| 查看: 110| 评论: 0

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简介：金融界2025年3月19日消息，国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“具有中介层的半导体封装”的专利，公开号CN 119627009 A，申请日期为2024年8月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体 ...

金融界2025年3月19日消息，国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“具有中介层的半导体封装”的专利，公开号CN 119627009 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体封装，包括引线框架、低侧FET、高侧FET、金属夹、中介层、IC控制器和模制封装。一种制造半导体封装的方法，包括以下步骤：提供引线框架；连接低侧FET和高侧FET；安装金属夹；连接中介层；安装IC控制器；形成模制封装；并应用单片化过程。

本文源自金融界

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